STGW60V60DF Транзистор IGBT N+DIOD канальный 600V 60A 20ns 375W TO-247

Наименование: STGW60V60DF Тип транзистора: IGBT Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175 Время нарастания типовое (tr), nS: 20 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 280 Тип корпуса: TO247 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29