IRF822FI Транзистор MOSFET N канальный 500V 1.5A 50ns 30W TO-220F

IRF822FI MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: IRF822FI Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 19(max) nC Время нарастания (tr): 50(max) ns Выходная емкость (Cd): 150(max) pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm Тип корпуса: ISOWATT220