BSH201.215 Транзистор MOSFET P канальный 60V 0.3A 0.5W SOT-23-3

BSH201215 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB Производитель NEXPERIA Монтаж SMD Корпус SOT23 Рассеиваемая мощность 170мВт Полярность полевой Вид упаковки бобина Вид упаковки лента Характеристики полупроводниковых элементов logic level Заряд затвора 3нC Ток стока -0,19А Вид канала обогащенный Напряжение сток-исток -60В Тип транзистора P-MOSFET Сопротивление в открытом состоянии 4,25Ом Напряжение затвор-исток ±20В Вес 0.013g