IRF820 Транзистор MOSFET N канальный 500V 2.5A 8.6ns 50W TO-220

IRF820 MOSFET Наименование прибора: IRF820 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 8.6 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 92 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm Тип корпуса: TO220