IRF7342Q Транзистор MOSFET 2P канальный 55V 3.4A 10ns 2W SO-8

IRF7342Q MOSFET Наименование прибора: IRF7342Q Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 10 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 210 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm Тип корпуса: SO-8