IRFB4020 Транзистор MOSFET N канальный 200V 18A 12ns 100W TO-220

IRFB4020 MOSFET Наименование прибора: IRFB4020 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4.9 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 18 nC trⓘ – Время нарастания: 12 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 91 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm Тип корпуса: TO-220 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29