IRFBG30 Транзистор MOSFET N канальный 1000V 3.1A 25ns 125W TO-220AB

IRFBG30 MOSFET Наименование прибора: IRFBG30 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 25 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 140 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm Тип корпуса: TO220AB