IRFP250N MOSFET Наименование прибора: IRFP250N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 123 nC trⓘ – Время нарастания: 43 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 315 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm Тип корпуса: TO247
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRFP250N Транзистор MOSFET N канальный 200V 30A 43ns 214W TO-247
1 200,00 ₸