20N60 Наименование прибора: 20N60 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 170 nC trⓘ – Время нарастания: 130 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 330 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm Тип корпуса: TO-220
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
Транзистор 20N60 MOSFET N 600V 20.7A 5NS 208W TO-220
900,00 ₸