ТРАНЗИСТОР IRF1010N

IRF1010N MOSFET Наименование прибора: IRF1010N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C trⓘ – Время нарастания: 76 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 690 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm Тип корпуса: TO220AB