Наименование прибора: IRF530N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 37(max) nC Время нарастания (tr): 22 ns Выходная емкость (Cd): 130 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm Тип корпуса: ТО220АВ Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
Транзистор IRF530N MOSFET N канальный 100V 17A 22ns 70W TO-220
900,00 ₸