ТРАНЗИСТОР STP20NM65 MOSFET N 650V 15A 13.5NS 125W TO-220

STP20NM65N Наименование прибора: STP20NM65N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 13.5 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 110 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm Тип корпуса: TO-220