Маркировка: 2N0608 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 72 nC trⓘ – Время нарастания: 15 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 740 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm Тип корпуса: TO263
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
2N0608-VB TO263 VBSEMI ТРАНЗИСТОРЫ MOSFET N 60V 150A 15ns
750,00 ₸