2SK1105 Транзистор MOSFET N канальный 800V 3A 40ns 80W TO-247

2SK1105 MOSFET Наименование прибора: 2SK1105 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 40 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 90 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm Тип корпуса: TO3P