2SK817 MOSFET Наименование прибора: 2SK817 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 2.5 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 20 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 800 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm Тип корпуса: TO220
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
2SK817 Транзистор MOSFET N канальный 60V 26A 20ns 35W TO-220
200,00 ₸