3N80 FQP Транзистор MOSFET N канальный 800V 3A 39W TO-220

Наименование прибора: 3N80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 57 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3.2 Ohm