4N80 FQP Транзистор MOSFET N канальный 800V 4A 45ns 106W

4N80 MOSFET Наименование прибора: 4N80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 19 nC Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 75 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm