50N06 Наименование прибора: 50N06 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 100 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 430 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm Тип корпуса: TO-252
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
50N06 YOUTAI Транзистор MOSFET 60V 50A 120W TO-252
150,00 ₸