DG75X12T2 STARPWR ТРАНЗИСТОР IGBT N+встречно-пар диод 1200V 150A 117ns TO-247

DG75X12T2 Наименование: DG75X12T2 Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N Pcⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 852 W |Vce|ⓘ – Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V |Vge|ⓘ – Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V |Ic|ⓘ – Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃ |VCEsat|ⓘ – Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃ Tjⓘ – Максимальная температура перехода: 175 ℃ trⓘ – Время нарастания типовое: 117 nS Тип корпуса: TO-247