FDB8441 Транзистор MOSFET N канальный 40V 80A 300W TO-263

FDB8441 MOSFET Наименование прибора: FDB8441 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm Тип корпуса: TO-252