FDD5614P Транзистор MOSFET P канальный 60V 15A 42W TO-252

FDD5614P MOSFET Наименование прибора: FDD5614P Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm Тип корпуса: SIT-23