FDN338P Транзистор MOSFET P канальный 20V 1.6A 0.5W TO-223

FDN338P MOSFET Наименование прибора: FDN338P Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 11 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 75 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm Тип корпуса: SOT-223