FDS4435BZ Транзистор MOSFET P канальный 30V 9A 2.5W SO-8

FDS4435BZ MOSFET Наименование прибора: FDS4435BZ Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 6 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 275 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm Тип корпуса: SO-8