FDS6679AZ Транзистор MOSFET P канальный 30V 13A 15ns 2.7W SO-8

FDS6679AZ MOSFET Наименование прибора: FDS6679AZ Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 15 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 500 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm Тип корпуса: SO-8