FDS8884 Транзистор MOSFET N канальный 30V 8,5A 9ns 2,5W SO-8

FDS8884 MOSFET Наименование прибора: FDS8884 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 9 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 100 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm Тип корпуса: SO8