FGD3040 Транзистор IGBT N канальный 400V 41A 1900ns 150W TO-252

FGD3040G2 Наименование: FGD3040G2-F085 Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 41 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175 Время нарастания типовое (tr), nS: 1900 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21 Тип корпуса: DPAK Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29