FGH40N60SFD Транзистор IGBT N канальный 600V 80A TO-247

FGH40N60SFD Наименование: FGH40N60SFD Тип транзистора: IGBT + Diode Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150 Время нарастания типовое (tr), nS: 42 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120 Тип корпуса: ТО247