FGH40N60SMD Транзистор IGBT + diod N канальный 600V 80A 20ns 349W TO-247

FGH40N60SMD Наименование: FGH40N60SMD Тип транзистора: IGBT + Diode Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 349 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175 Время нарастания типовое (tr), nS: 20 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 180 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 119 Тип корпуса: TO-247