FQP4N80 Транзистор MOSFET N канальный 800V 3.9A 130W TO-220

FQP4N80 MOSFET Наименование прибора: FQP4N80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.6 Ohm Тип корпуса: TO220