FQP6N80C Транзистор MOSFET N канальный 800V 5.5A 158W TO-220

FQP6N80C MOSFET Наименование прибора: FQP6N80C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm Тип корпуса: TO220