FQP7N80C Транзистор MOSFET N канальный 800V 6.6A 167W TO-220

FQP7N80C MOSFET Наименование прибора: FQP7N80C Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 5 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 27 nC Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm Тип корпуса: TO220