HGTG11N120CND Транзистор IGBT N канальный 1200V 43A 12ns 298W TO-247

HGTG11N120CND Наименование: HGTG11N120CND Тип транзистора: IGBT + Diode Маркировка: 11N120CND Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 298 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 43 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.8(typ) Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150 Время нарастания типовое (tr), nS: 12 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 100 Тип корпуса: ТО247