IHW30N110R3 Транзистор IGBT N канальный 1100V 60A 333W, TO247-3

Наименование: IHW30N110R3 Тип транзистора: IGBT Маркировка: H30N110R3 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1100 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55 Тип корпуса: ТО247 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29