Наименование: IHW30N160R2 Тип транзистора: IGBT Маркировка: H30R1602 Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1600 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.35 Тип корпуса: ТО247 Аналог (замена) для IHW30N160R2
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IHW30N160R2 Транзистор IGBT N канальный 1600V 60A 312W TO-247
11 000,00 ₸