IKW75N65EH5 Транзистор IGBT 650V 90A 33ns 395W TO-247

IKW75N65EH5 Наименование: IKW75N65EH5 Тип транзистора: IGBT + Diode Маркировка: K75EEH5 Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 395 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65 Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8 Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175 Время нарастания типовое (tr), nS: 33 Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130 Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 160 Тип корпуса: TO-247