IR LPT 80 A OSRAM Фототранзисторы

Описание LPT 80A Фототранзисторы PHOTOTRANSISTOR Упаковка Bulk Минимальная рабочая температура 40 C Максимальная рабочая температура + 100 C Высота 5.84 mm Длина 4.57 mm Упаковка / блок Side Looker Продукт Phototransistors Тип IR Chip Ширина 2.54 mm Вес изделия 200 mg ECCN EAR99 Вид монтажа Through Hole Pd – рассеивание мощности 100 mW Время спада 10 us Время нарастания 10 us Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV Длина волны 880 nm Пиковая длина волны 880 nm Угол половинной интенсивности 35 deg Темновой ток 50 nA Максимальный ток коллектора во включенном состоянии 50 mA Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 30 V Слабый ток 250 uA