IRF530NPBF MOSFET N канальный 100V 17A 22ns 70W TO-220

IRF530NPBF MOSFET Наименование прибора: IRF530NPBF Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 37 nC trⓘ – Время нарастания: 22 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 130 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm Тип корпуса: ТО-220