IRF630N Транзистор MOSFET N канальный 200V 9.3A TO-220

Наименование прибора: IRF630N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 35 nC Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 89 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm Тип корпуса: TO220AB