IRF640 Транзистор MOSFET N канальный 200V 18A 19ns 150W TO-220

IRF640 MOSFET Наименование прибора: IRF640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 60(max) ns Cossⓘ – Выходная емкость: 750(max) pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220