IRF7103Q Транзистор MOSFET 2N канальный 50V 3A 1,7ns 2.4W SO-8

IRF7103Q MOSFET Наименование прибора: IRF7103Q Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 3 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 10 nC trⓘ – Время нарастания: 1.7 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 69 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm Тип корпуса: SO-8