IRF822 Транзистор MOSFET N канальный 500V 2.2A 50ns 50W TO-220

IRF822 MOSFET Наименование прибора: IRF822 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 50(max) ns Cossⓘ – Выходная емкость: 460 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm Тип корпуса: TO220