IRF830 Транзистор MOSFET N канальный 500V 5A 8ns 100W TO-220

IRF830 MOSFET Наименование прибора: IRF830 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 22 nC trⓘ – Время нарастания: 8 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 120 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm Тип корпуса: TO220 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29