IRF8707 Транзистор MOSFET N канальный 30V 11A 8ns 2.5W SO-8

IRF8707 MOSFET Наименование прибора: IRF8707 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 7.9 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 170 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0119 Ohm Тип корпуса: SO-8