IRFB4110 Транзистор MOSFET N канальный 100V 120A 67ns 370W TO-220

IRFB4110 MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник Наименование прибора: IRFB4110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 67 ns Выходная емкость (Cd): 670 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm Тип корпуса: ТО220АВ Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29