IRFBE30 Транзистор MOSFET N канальный 800V 4.1A 33ns 125W TO-220AB

IRFBE30 MOSFET Наименование прибора: IRFBE30 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C trⓘ – Время нарастания: 33 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 310 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm Тип корпуса: TO220AB