IRFBF30 MOSFET Наименование прибора: IRFBF30 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 78(max) nC trⓘ – Время нарастания: 25 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 320 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm Тип корпуса: ТО220АВ
активные компоненты, транзисторы, электронные компоненты, электрооборудование
IRFBF30 Транзистор MOSFET N канальный 900V 3.6A 25ns 125W TO-220AB
1 500,00 ₸