IRFD110 Транзистор MOSFET N канальный 100V 1A 16ns 1.3W DIP-4

Наименование прибора: IRFD110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 8.3(max) nC Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 81 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm Тип корпуса: HD-1 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29