IRFD120 Транзистор MOSFET N канальный 100V 1.3A 27ns 1.3W DIP-4

IRFD120 MOSFET Наименование прибора: IRFD120 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 175 °C trⓘ – Время нарастания: 27 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 150 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm Тип корпуса: DIP4