IRFD320 Транзистор MOSFET N канальный 400V 0.49A 14ns 1W DIP-4

IRFD320 MOSFET Наименование прибора: IRFD320 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Pdⓘ – Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W |Vds|ⓘ – Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V |Vgs|ⓘ – Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V |Vgs(th)|ⓘ – Пороговое напряжение включения: 4 V |Id|ⓘ – Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.49 A Tjⓘ – Максимальная температура канала: 150 °C Qgⓘ – Общий заряд затвора: 20(max) nC trⓘ – Время нарастания: 14 ns Cossⓘ – Выходная емкость: 120 pf Rdsⓘ – Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm Тип корпуса: DIP4