IRFH5110 Транзистор MOSFET N канальный 100V 63A 10ns 3.6W SO-8

Наименование прибора: IRFH5110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 54 nC Время нарастания (tr): 9.6 ns Выходная емкость (Cd): 324 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0124 Ohm Тип корпуса: PQFN5X6 Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29